新研究揭示复合金属基底上薄膜VCSEL的增强性能

中国台湾阳明交通大学（NYCU）半导体器件技术领域的顶尖专家Ray-Hua Horng教授领导的研究团队在《光电子学前沿》杂志上发表了一篇题为“复合金属基板上薄膜VCSEL的性能研究”的研究论文。这项工作介绍了有望重塑半导体技术格局的创新方法。

在这项研究中，Horng教授探索了薄膜p面向上垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的巨大潜力。这些先进的激光器是在被称为铜/铁镍合金/铜（CIC）的复合金属基板上设计的。这一突破是通过新颖的两次键合转移和基底移除技术实现的。

通过双晶圆粘接技术和转移技术，将VCSEL器件转移到CIC基底面上的程序
 

研究结果表明，复合金属基底上的VCSEL不仅能显著影响薄膜VCSEL的特性，还能大幅改善器件的热性能。这一发展将彻底改变半导体器件技术领域，提供以前无法实现的增强性能和热管理。Horng教授的研究成果有望应用于电信、数据中心和光通信等多个领域。这些研究成果对依赖激光系统进行数据传输和信号处理的行业和技术，具有深远影响。

这项研究开启了半导体器件技术新时代的大门，不仅有可能彻底改变薄膜VCSEL的性能和热管理，而且有可能改变多种大功率电子器件的性能和热管理。它代表了一项了不起的进步，可能从根本上改变半导体行业的未来。