三星HBM未通过英伟达认证测试 原因何在？

日前路透（Reuters）报导称，三星电子（Samsung Electronics）HBM3E未通过NVIDIA的测试。尽管三星随后出面解释仍引起各界高度关注，而韩国业界、学界也探究背后原因，推测三星于HBM封装制程方面仍未克服良率问题。

有韩媒分析称，三星电子的高带宽内存（HBM）芯片未能通过英伟达的测试，主要原因是存在散热和功耗问题。三名知情人士透露，这些问题影响到了三星的HBM3芯片和即将推出的HBM3E芯片。这些芯片在进行人工智能处理器的测试时，由于发热和功耗过高，无法满足英伟达的要求。

尽管有报道称三星否认了相关消息，并声称正在与全球合作伙伴顺利进行HBM芯片的测试过程, 但大量证据表明，散热和功耗问题确实是导致三星HBM芯片未通过英伟达测试的主要原因。此外，有报道指出，台积电在审批环节可能也存在问题，这进一步加剧了三星HBM芯片的测试失败。

因此，三星HBM芯片未通过英伟达认证测试，最终影响了其在人工智能处理器中的应用。

目前，公开消息称，三星正在与客户紧密合作，优化产品以解决这些问题，但目前尚不清楚这些问题是否可以轻松解决。此外，三星的主要竞争对手SK海力士和美光科技已经开始向英伟达供应HBM3E芯片，这可能加剧了三星在HBM领域的竞争压力。