第三代半导体推动新质生产力发展，英飞凌如何发力？

伴随新能源多应用市场的蓬勃发展，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。

作为全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能源汽车等低碳化趋势下的关键行业提供了高性能的功率半导体解决方案，推动了行业的绿色转型和可持续发展。

7月8~10日，英飞凌携广泛的功率及电源类半导体产品亮相“2024慕尼黑上海电子展”，以“低碳化和数字化推动可持续发展”为主题，全面展示了在绿色低碳可持续技术领域的深厚积淀，以及在绿色能源与工业、智能家居、电动汽车等应用市场的创新解决方案。

英飞凌展台

深耕汽车电子领域，赋能未来出行
作为全球最大的汽车半导体供应商，英飞凌在汽车电子领域深耕数十年，能够提供广泛的产品和解决方案组合，赋能未来出行。在电动汽车展区，英飞凌进行了一系列的技术演示，其中包括使用英飞凌第二代HybridPACK™ Drive碳化硅功率模块的电机控制器系统演示，该系统集成了AURIX™ TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK™ Drive模块、第三代EiceDRIVERTM驱动芯片1EDI30XX、无磁芯电流传感器等，让现场观众身临其境地体验并深入了解英飞凌产品的卓越功能、创新特性，及其在缓解电动汽车里程焦虑应用中所展现的独特价值。

此外，英飞凌还在该展区展示了电流传感器模组、分立功率器件家族、QDPAK封装低导通电阻碳化硅器件、基于可焊接TO247单管的组件Demo方案、HybridPACK™ Drive产品系列、11kW OBC全GaN高功率密度充电系统解决方案，还有基于CoolMOS™和OptiMOS™功率MOSFET、CoolGaN™ SG HEMT开关、CoolMOS™ QDPAK CFD7A、6.5A 2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）等诸多支持电动出行和电动交通快速发展的产品和解决方案。

第三代半导体如何推进低碳化与数字化？
在展会期间，英飞凌还首次举办“2024英飞凌宽禁带论坛”，聚焦于第三代半导体新材料、新应用的最新发展成果，与行业伙伴共同探讨宽禁带领域的应用与发展，携手推动低碳化和数字化的发展进程。

英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟

“半导体解决方案是实现气候目标的关键，宽禁带半导体能显著提升能源效率，推动实现低碳转型。在当前绿色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体作为新材料和新技术已开始广泛应用于新能源、电动汽车、储能、快充等多个领域。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着引领作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟在致辞中说道。

此外，Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺从行业分析的角度向与会者分享了全球碳化硅与氮化镓市场最新发展趋势及展望。“未来功率系统将会更小，功率更大，除了数字化、智能化以外，集成化也是其未来发展的趋势之一。”他说道，“我们认为，未来5年，GaN的市场规模可以达到22亿美金，SiC市场规模将达到100亿美金。在应用领域，汽车尤其是主驱方面将是最主要的市场，预计将占据70%~80%的份额。此外，充电桩、光伏、风电等也会占据约15~20%的份额。”

华中科技大学教授、博导彭晗综合介绍了宽禁带功率器件的应用机遇与挑战：“宽禁带功率器件已成为电力电子装备的主流器件，推动变换器向着高频、高压、高效等方向发展。与功率器件特性和工况特性高度适配的驱动和控制策略，是宽禁带功率器件规模化可靠应用的关键。”

基于在SiC领域的丰厚积累，英飞凌拥有40多年对SiC工艺制程、封装和失效机理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圆厂以及业界最广泛的SiC产品组合、应用市场、客户群覆盖。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。在GaN方面，自去年10月完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），目前英飞凌的氮化镓产品组合包括高压和中压的BDS、感测、驱动和控制系列，可广泛应用于AI服务器、车载充电器（OBC）、光伏、电机控制、充电器和适配器等。如在AI服务器领域，基于AI系统对更高功率的需求，进一步增加了半导体的使用量。

在技术市场方面，英飞凌科技通过Si 、SiC 和GaN三种半导体材料器件的技术特性对比，指出虽然硅超级结在低开关频率中占优，但SiC和GaN终将主导新型拓扑结构和高频应用；结合CoolSiC™和CoolGaN™的技术特性及优势，分别在不同领域的典型应用案例，如在公共电源转换（PCS）系统中采用SiC模块，可实现>99%的效率，CoolGaN™双向开关在微型逆变器中的应用等。

结语
可以看到，新能源汽车、光伏、储能、服务器电源等关键领域对宽禁带半导体的需求正在快速增长，与此同时，随着技术的不断成熟和成本的逐步下降，宽禁带半导体将迎来更加广阔的发展空间。相信早就在第三代半导体领域进行布局与投入的英飞凌，能够在未来市场上绽放更闪耀的光芒，让我们共同期待！