横扫快速开关DC-DC和电机控制两大应用，T10 MOSFET有何绝招?

MOSFET 具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性，广泛应用于汽车、工业控制等领域。在云服务器、新能源汽车、5G基础设施以及可再生能源等市场的推动下，全球 MOSFET市场高速增长。安森美(onsemi)以全面的MOSFET解决方案，覆盖宽广电压范围，满足跨领域需求。同时，中低压MOSFET系列可为各类开关应用提供优越的性能和可靠性，特别是采用先进屏蔽栅工艺的PowerTrench®T10，提供业界领先的导通电阻RDS（on）、更高的功率密度、更小的开关损耗以及更优的热性能。

屏蔽栅MOSFET的技术优势

屏蔽栅（Shielded Gate, SGT）MOSFET技术是对传统沟槽型MOSFET工艺的一种优化。在SGT工艺中，栅极被巧妙地分割成上下两部分，其中下部作为屏蔽层，这一设计上的创新带来了显著的技术优势。得益于屏蔽层的加入，SGT MOSFET能够在保持原有尺寸的同时，实现更低的RDS(on)。屏蔽层的存在还能有效减少了栅极与源极之间的寄生电容，这直接体现在栅极电荷（Qg）的减少上。Qg的下降意味着在开关过程中，MOSFET所需的能量更少，开关速度更快，进而显著降低了开关损耗，提升了开关效率。

SGT MOSFET的另一个突出优势在于它能够抑制电压尖峰和振铃效应，屏蔽层的产生会形成一个寄生的电阻和寄生的电容，这样的话就形成了一个RC Snubber。当MOSFET在开关瞬间，这个RC snubber能够吸收和消耗过高的电压尖峰，平滑电压波形，从而极大地减少了振铃现象。

高性能与先进封装赋予T10 MOSFET独特的优势

T10 MOSFET是安森美屏蔽栅MOSFET的明星产品系列，是更高效、更强大、更可靠的解决方案。T10 MOSFET带来了一系列显著的技术进步，首当其冲的是Rsp的显著下降，相较于前代MOSFET工艺，降幅高达30%-40%，这一改进对于提升功率密度至关重要。

不仅如此，T10 MOSFET还在栅极电荷(Qg)、开关电荷(Qsw)和输出电荷(Qoss)这些关键参数上取得了超过两倍的降幅，预示着开关损耗的有效降低，进而推动系统整体效率的提升，为高性能应用注入强劲动力。再者，反向恢复特性得到了质的飞跃，二极管的反向恢复过程更加平缓，有效改善了电磁干扰（EMI）状况。此外，UIS（Unclamped Inductive Switching）提升了约10%，赋予MOSFET更强的鲁棒性，确保器件在极端条件下仍能稳定运行。

安森美T10 MOSFET种类众多，涵盖了从25V到150V各个电压等级

功率器件的散热能力是一个关键指标，安森美提供Top Cool、Gull Wing、Advanced QFN56 Gen2 / Dual Cool 56、Source Down等不同的封装形式，来满足不同应用的需求。TCPAK57是一种Top Cool封装，尺寸仅5 mm x 7 mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的PCB散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度。新设计的可靠性更高从而增加整个系统的使用寿命。

瞄准快速开关DC-DC和电机控制两大应用

面向不同应用领域的特定需求，安森美的T10 MOSFET细分为T10S和T10M两大系列，各具特色，精准匹配市场细分领域的要求。其中，T10S系列专为快速开关DC-DC转换应用量身打造，它聚焦于优化FOM，通过最小化Qg、Qsw、Qoss及Qrr与RDS(on)的组合，实现低损耗、高效率的理想状态，助力电源转换领域迈向更高境界。

在高频开关操作中，这种低损耗特性尤为关键，它不仅有助于减少热生成，延长设备寿命，还能在同等功率输出下降低对散热系统的要求，实现更紧凑、更高效的设计。

T10M MOSFET，作为安森美针对电机驱动应用的解决方案，其设计的核心理念在于显著降低RDS(on)，优化体二极管的软恢复性能，并增强其UIS耐受能力。这些特点共同作用，确保了电机控制的精确性与安全性，同时也提升了系统的整体效率和可靠性。

在电机驱动场景下，低导通电阻意味着在电机运行期间，MOSFET能够以更低的功耗进行电流的传导，进而减少了热耗散，使得电机驱动系统能够在更高的功率密度下稳定工作，这对于电动汽车、工业自动化、家用电器等对能效有严格要求的应用尤为重要。同时，优化的反向恢复性能减少了在开关瞬间的能量损耗，这在高频开关条件下尤其关键，可以有效避免过热和提高系统效率。

安森美引领MOSFET领域 20余年，持续致力于先进技术和材料的开发与研究，不断突破技术边界，推动半导体器件与封装材料的持续变革。安森美以打造差异化产品为使命，以不断进化的市场需求为目标，持续创新，永保领先。