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Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

来源:Vishay 发布时间:2024-10-25 368
电子芯片设计/电子设计自动化(IP类软件)工业控制系统/辅助系统电子制造服务(EMS)/系统集成 电子芯片封测
新款 IGBT和MOSFET驱动器峰值输出电流高达4 A,工作温度高达+125 °C,传播延迟低至200 ns~

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBTMOSFET驱动器---VOFD341AVOFD343AVishay VOFD341AVOFD343A的峰值输出电流分别达3 A4 A,工作温度高达+125 °C,传播延迟低至200 ns

 

10月24日发布的光耦合器包含一个AlGaAs LED(该LED通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路,用于太阳能逆变器和微逆变器)、交流和无刷直流工业电机控制逆变器,以及用于UPS中交流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达1200 V / 100 AIGBT 

 

VOFD341AVOFD343A支持的工作温度高,这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量,而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件的传播延迟低,可将开关损耗降至最低程度,同时有助于进行更精确的PWM调节。 

 

光耦合器的高隔离封装可支持高达1140 V的高工作电压,因此可用于高压逆变级,同时仍能保持足够的电压安全裕量。这些器件符合RoHS规范,可支持高达50 kV/µs的抗扰,从而防止在快速开关功率级中出现下降函数。

 

VOFD341AVOFD343A现可提供样品并已实现量产,订货周期为六周。

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