我国在太空成功验证了首款国产碳化硅功率器件

日前，据新华社消息，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，这标志着我国在第三代半导体材料领域取得了重大突破。此次验证的碳化硅功率器件由中科院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队与中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制，并于2024年11月15日搭载天舟八号货运飞船进入太空。

碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有高能效、小型化、轻量化等特点，能够满足空间电源系统对高能效、小型化、轻量化的需求。与传统的硅基半导体相比，第三代半导体制造的功率器件能够承受更高的电压、电流和温度，具备更高的效率和可靠性。

实验结果表明，此次在轨验证的高压400V碳化硅功率器件，不仅能够稳定运行，而且在电源系统中的静态、动态参数等方面的各项性能指标均达到甚至超越预期，这表明其在极端太空环境下具有优异的性能表现，为未来在太空设备中的广泛应用提供了有力的数据支持。

业内专家指出，此次成功验证的碳化硅功率器件有望牵引我国航天电源系统的升级换代，为我国未来的探月工程、载人登月、深空探测等航天任务提供新一代功率器件。此外，该技术的突破也将推动我国制造业的转型升级，为新能源汽车、可再生能源等领域提供更高效、更可靠的功率器件。

此次太空验证的成功，是我国在高端功率器件领域的重要里程碑，不仅提升了我国在航天电源技术方面的自主创新能力，也为我国在全球半导体技术竞争中赢得了更多主动权。