剑桥氮化镓器件无晶圆厂CGD获3200万美元融资

英商剑桥无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices (CGD)近期成功完成3,200万美元的C轮融资。本轮融资由策略投资者领投，英国长期资本（British Patient Capital）参投，并获得现有投资方Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital（CIC）、Foresight Group和IQ Capital的大力支持。

CGD是一家无晶圆厂半导体公司，由剑桥大学Florin Udrea教授和Giorgia Longobardi博士于2016年共同创办，致力于开发革新性节能功率装置。由CGD设计、开发并销售的氮化镓GaN晶体管和集成电路（IC）能大幅提升能源效率和紧凑性，并适用于大规模生产。 CGD技术受到强大的知识产权组合保护，并在公司领先的创新能力和雄心壮志的愿景下不断发展壮大。

氮化镓（GaN）技术革新功率电子领域

氮化镓（GaN）功率元件正在突破传统功率电子技术的限制，相较于矽基解决方案，它具有更快的开关速度、更低的能耗和更紧凑的设计。

CGD自研的单晶片ICeGaN®技术简化了GaN元件在现有和新兴设计的应用，也将效率水准提升至99%以上，可为电动车和数据中心电源等高功率应用节省50%的能源。这项创新技术可望每年减少数百万吨的二氧化碳排放，并凭借ICeGaN®技术固有的易用性，为全球进一步迈向永续能源系统提供强劲动力。

Giorgia Longobardi 博士 | GGD创办人兼执行长（CEO）

「本轮融资对CGD而言是一个里程碑式的突破，证明了市场对我们技术和愿景的高度认可。我们将继续推动高能效氮化镓（GaN）解决方案变革及功率电子行业的可持续发展。现在我们已准备加速成长，大幅降低多个领域的能源消耗。我们期待与策略投资者合作，进一步拓展汽车市场。」

市场机遇与成功实践

全球氮化镓（GaN）功率元件市场预计将以41%的年复合成长率（CAGR）高速成长，到2029年市场规模将达到20亿美元。同时，ICeGaN®技术将成为碳化矽（SiC）解决方案的可行替代方案，它结合了高能源效率、小型化和单晶片整合的智慧功能。这将使CGD在2029年有机会进入超过100亿美元的高功率市场。

凭借其领先的技术和市场领导地位，CGD已做好充分准备迎接市场的快速扩张。CGD已成功获得业界领先客户的青睐，并持续展现出其提供可靠且具影响力解决方案的能力，推动产业创新。

Henryk Dabrowski | CGD全球销售资深副总裁

“我很高兴看到这笔融资能支持我们更快地交付已签署客户订单的最新一代P2产品。这项融资将大大提升我们的能力，并满足市场对高可靠且易用的GaN解决方案快速增长的需求。”

全球扩张与未来愿景

凭借全球专家团队、数十年的研究经验以及持续创新的氮化镓GaN技术，CGD将持续提供能提升日常电子产品性能的解决方案。随著全球电气化和永续发展进程的加快，CGD在GaN技术领域的领先地位为降低能源消耗和成本，减少环境影响提供了路径。透过打造高效、小巧且高效能的功率元件，CGD正在为永续功率电子产业树立新标准。

本轮融资将协助CGD在英国剑桥、北美、中国台湾和欧洲其他区域拓展业务，并向不断成长的客户提供独特的价值主张。这笔重要的融资将推动CGD成长，专注于持续向高功率工业、数据中心和汽车市场提供高效GaN产品。

John Pearson | Parkwalk Advisors 首席投资官

「CGD正处于技术前沿，能有效降低人工智慧和电动车等高速成长产业能源消耗。CGD拥有巨大的全球潜力和广泛的应用前景，这将推动公司持续创新和成长。自2019年以来，我们一直支持CGD，很高兴能与这样一支优秀的团队及其他投资者合作，加速其全球扩张。」

George Mills | British Patient Capital 深科技部门董事、直接投资与共同投资负责人

「经过多年研究，CGD已经成功验证了其半导体技术的影响力。与传统的矽基装置相比，他们的氮化镓（GaN）装置能耗更低，既降低了成本，又对环境带来了积极影响。这是一项极具价值的技术，现在需要长期资本来实现规模化发展。」