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国产存储芯片崛起!2年内,自给率将达到50%?

来源:荣格电子芯片 发布时间:2025-03-07 412
电子芯片 产业动态
一场围绕存储芯片的话语争夺战正在开启~

最近,存储芯片行业好不热闹。韩国存储三巨头三星、SK海力士和美光作出决定:计划在年内停产DDR4,全力转向DDR5HBM的生产。

 

业内主要观点认为,其直接原因系在DDR4市场,遇到了中国存储公司这一群“价格屠夫”。

 

但实际上,这些年来,价格战时有在中韩厂商之间产生,而此次三巨头选择退出市场除了中国厂商发起价格战,根本原因还是在于国产存储芯片发展速度太快,他们希望保持住自己在高端存储芯片上的有利地位。

 

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图片来源  /   豆包

 

要知道,2017年前, 我国并没DRAM、NAND芯片生产能力,全部靠进口。

 

直到2017年,长江存储推出了国内首款NAND闪存芯片,长鑫存储发布了国内首款DRAM芯片。发展至今,只有七八年光景。

 

2023年11月28日,长鑫存储才推出首个国产高端DRAM产品——LPDDR5系列。相比之下,SK海力士、三星、美光,在该领域已经沉淀了几十年。

 

尽管从产能、技术等方面与之存在差距,但我国存储芯片发展迅猛:

 

2020年:国产存储芯片产业处于快速发展的蓄力阶段,长江存储、长鑫存储等不断投入研发和扩大产能,市场规模处于逐步上升通道。

 

2021年:全球存储芯片市场处于上一轮周期顶点,我国在全球半导体市场规模中占比接近28%达到1500亿美元。

 

2022年:中商情报网数据,我国存储芯片市场规模约5170 亿元,同比下降5.9%。这一年受消费电子市场需求疲软等因素影响,存储芯片产业进入下行周期。

 

2023年:我国存储芯片市场已达到2591亿元,过去五年复合增长率达到20.38%。

 

2024年:中国存储芯片市场尤其强劲,规模达到276.5亿美元,年增长率高达12.4%。

 

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另外,近期的一个重磅消息是:2月24日,韩国媒体ZDNet Korea独家报道称,三星电子近日与长江存储签署了3D NAND“混合键合”专利许可协议,拟将其用于下一代(V10)闪存芯片开发上。

 

长江存储的这项3D NAND“混合键合”技术被称为“Xtacking”,已经比肩国际水平,是全球三大先进的芯片高端封装技术之一。本次,三星在综合考虑成本、各家技术后,最终选择向长江存储获取专利授权,也证明了长江存储的实力。

 

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长江存储自研Xtacking技术

 

这份专利协议的签署,将给国产存储芯片产业链带来极大的鼓舞。多少年,我国长期在存储芯片市场仰韩国鼻息,随着chiplet、AI芯片等技术的不断发展,相信国产存储芯片也一定会崛起。

 

此前,有外媒表示,目前中国的存储芯片厂商已经可以满足中国1/3的存储芯片需求;到2026年,中国在存储芯片上将实现50%左右的自给率。

 

正如一位科技资深博主“孟叔聊科技”所言,当长江存储的芯片装入iPhone15,当长鑫内存支撑起国产AI服务器,世界终于意识到——这场存储革命,中国不仅是参与者,更在成为规则的塑造者。


*声明:本文系荣格电子芯片综合整理,仅为传播信息所用,不构成任何投资依据;如对文章内容有异议,请联系后台。 

 

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