博世计划收购美国芯片制造商TSI 扩大SiC芯片业务

博世正利用碳化硅（SiC）芯片扩大其半导体业务。其计划收购位于加利福尼亚州罗斯维尔的美国芯片制造商TSI半导体公司的资产。目标是到2030年底大幅扩大其SiC设备组合，以满足电动汽车的需求。

博世计划向电动汽车的SiC技术投资15亿美元

TSI拥有250名员工，是一家专用集成电路的代工厂。目前，它主要在200毫米硅片上开发和生产大量芯片，用于移动、电信、能源和生命科学领域。

未来几年，博世计划在罗斯维尔工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体制造工厂转化为最先进的工艺。从2026年开始，第一批芯片将在基于SiC的200毫米晶圆上生产，之后是一个重组阶段。碳化硅芯片将在200毫米晶圆上生产，工厂将提供大约1万平方米的洁净室空间。

计划投资的全部项目将严重依赖于通过芯片和科学法案获得的联邦资助机会、加利福尼亚州的经济发展机会。博世和TSI半导体已达成协议，不披露交易的任何财务细节，这有待监管机构的批准。

“通过收购TSI Semiconductors，我们在一个重要的销售市场建立了SiC芯片的生产能力，同时也增加了我们在全球的半导体生产。”博世管理委员会主席Stefan Hartung表示：“罗斯维尔现有的洁净室设施和专业人员将使我们能够更大规模地生产用于电动汽车的SiC芯片。”

“罗斯维尔的位置从1984年就存在了。近40年来，这家美国公司在半导体生产领域积累了丰富的专业知识。”博世管理委员会成员兼移动解决方案业务部主席Markus Heyn表示，我们现在将把这一专业知识整合到博世半导体制造网络中。

“我们很高兴加入一家拥有丰富半导体专业知识的全球运营技术公司。”TSI Semiconductors首席执行官Oded Tal表示：“我们相信，我们在罗斯维尔的工厂将为博世的SiC芯片制造业务做出重大贡献。”

碳化硅芯片市场每年预增长30%

到2025年，博世预计每辆新车平均将集成25个芯片。SiC芯片市场也在继续快速增长，平均每年增长30%。这种增长的主要驱动力是全球电动汽车的繁荣和增长。在电动汽车中，SiC芯片可实现更大的续航里程和更高效的充电，因为它们使用的能源最多可减少50%。安装在这些车辆的电力电子设备中，它们确保车辆一次充电可以行驶更长的距离——平均而言，可能的范围比硅基芯片大 6%。

自1970年以来，博世一直在德国罗伊特林根制造半导体。位于德累斯顿的新博世晶圆厂（300mm晶圆）于2021年7月开始生产。德雷登晶圆厂耗资近10亿欧元，是公司历史上最大的单笔投资。

博世很早就投入了SiC芯片的研发和生产。自 2021 年以来，它一直在使用自己的专有工艺在罗伊特林根批量生产它们。未来，罗伊特林根还将在200mms晶圆上生产它们。该公司表示，到2025年底，它将在罗伊特林根的洁净室空间从大约35000平方米扩大到44000多平方米。“SiC芯片是电气化移动的关键组件。通过在国际上扩展我们的半导体业务，我们正在加强我们在重要的电动汽车市场的本地影响力。“Heyn说。

自2010年引入200mm技术以来，博世在罗伊特林根和德累斯顿的晶圆厂累计投资超过25 亿欧元。除此之外，还投资了数十亿欧元用于开发微电子。除了目前计划在美国的投资之外，该公司去年夏天宣布将在欧洲的半导体业务上再投资30亿欧元，既作为其投资计划的一部分，也借助欧盟的“欧洲微电子和通信技术共同利益的重要项目”计划。

本文系由荣格工业传媒编译